刘胜北

作品数：2被引量：9H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：碳化硅刻蚀半导体薄膜肖特基二极管势垒更多>>
发文领域：电子电信动力工程及工程热物理金属学及工艺更多>>
发文期刊：《物理学报》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家电网公司科技项目更多>>
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GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理被引量：5
《物理学报》2016年第3期372-378,共7页刘阳 柴常春 于新海 樊庆扬 杨银堂 席晓文 刘胜北 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB339900);中国工程物理研究院复杂电磁环境科学与技术重点实验室开放基金(批准号:2015-0214.XY.K)资助的课题~~
提出了一种新型GaN异质结高电子迁移率晶体管在强电磁脉冲下的二维电热模型,模型引入材料固有的极化效应,高场下电子迁移率退化、载流子雪崩产生效应以及器件自热效应,分析了栅极注入强电磁脉冲情况下器件内部的瞬态响应,对其损伤机理...
关键词：GAN 高电子迁移率晶体管 强电磁脉冲 损伤机理 
4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀被引量：4
《微纳电子技术》2015年第1期59-63,共5页王进泽 杨香 钮应喜 杨霏 何志 刘胜北 颜伟 刘敏 王晓东 杨富华 
国家电网科技项目(SGRI-WD-71-14-004)
传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HB...
关键词：碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) SF6/O2/HBr 微沟槽效应 刻蚀速率 
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