微电子所在高迁移率沟道MOS器件研究上取得显著进展  

作　　者：Mary 

出　　处：《今日电子》2016年第4期27-27,共1页Electronic Products

摘　　要：微电子所高频高压器件与集成研发中心刘洪刚研究员、王盛凯副研究员带领CMOS研究团队在国家科技重大专项02专项、国家“973”课题和国家自然科学基金等项目的支持下,对high-k/III-V、high-k/Ge界面的缺陷行为及控制方法开展了系统研究,经过近5年的持续攻关,取得了突破性的研究成果。

关 键 词：微电子 MOS器件 迁移率 国家自然科学基金 “973”课题 沟道 研发中心 高压器件 

分 类 号：TN41[电子电信—微电子学与固体电子学]