双极型碳化硅固态高压器件技术研究进展  

作　　者：李俊焘 

出　　处：《中国工程物理研究院科技年报》2017年第1期93-99,共7页Annual Report of China Academy of Engineering Physics

摘　　要：碳化硅（SIC）材料具有比硅（Si）材料更高的击穿场强，更高的载流子饱和速度和更高的热导率，使SiC高压器件比Si的同类器件具有阻断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率高、高温性能好及抗辐照能力强的特点。近年来SiC材料的突破给发展新一代固态高压器件带来了希望，突破了一系列关键技术，并陆续实现了包括SiCSBD、SiCJBS、SiCPIN、SiCMOSFET在内的多种SiC高压器件的产业化。

关 键 词：高压器件 器件技术 碳化硅 固态 双极型 SIC材料 击穿场强 阻断电压 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]