深槽和阱邻近效应对MOSFET性能的影响  

作　　者：Hanyu Sheng Tamara Bettinger John Bates 

机构地区：[1]飞思卡尔半导体公司

出　　处：《中国集成电路》2015年第7期35-36,74,共3页China lntegrated Circuit

摘　　要：开发测试结构是为了实现深槽和阱邻近效应在0.13μm间距工艺中对MOSFET影响的量化。本文分析了两类结构:深槽和阱边缘一起变化以及这些边缘单独变化。测量结果表明,深槽和阱邻近效应能够影响器件性能。

关 键 词：邻近效应 深槽 器件性能 测试结构 类结构 测量结果 高压技术 高压器件 浅槽 半导体技术 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]