高迎霞

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：石家庄铁道大学四方学院更多>>
发文主题：SOI_LDMOS高热导率高压器件埋层自热效应更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>
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新型图形化三埋层SOI LDMOS高压器件被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第3期272-276,共5页高迎霞 孙秀婷 卢智嘉 孟纳新 
河北省科学计划资助项目(13220344);石家庄市科研与发展课题(11113451)
提出了一种新型图形化三埋层SOI LDMOS高压器件结构,利用阶梯埋层和埋层1窗口将大量空穴束缚于埋层1和埋层2的上表面,提高了两者的纵向电场,并将器件的耐压从常规结构的470V提高到了805V。因为埋层2的厚度和介电常数对器件耐压无影响,...
关键词：三埋层 空穴 耐压 自热效应 高热导率 
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