格芯和Microchip宣布Microchip 28 nm SuperFlash嵌入式闪存解决方案投产  

出　　处：《单片机与嵌入式系统应用》2023年第11期94-94,共1页Microcontrollers & Embedded Systems

摘　　要：格芯(Global Foundries)与Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)及其旗下子公司Silicon Storage Technology(SST)共同宣布,采用GF 28SLPe制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM解决方案即将投产。在实施SST广泛部署的ESF3 SuperFlash技术方面,格芯确立了新的行业基准。该实施方案具有以下功能和优势:成本最低的28 nm HKMG ESF3解决方案,仅增加了10个掩模,包括真正的5 V IO CMOS器件;SST ESF3位单元尺寸小于0.05平方微米,极具竞争力;工作温度额定值为-40~125℃;读取访问时间为25 ns、编程时间为10μs、擦除时间为4 ms;超过100000次编程/擦除循环的耐用性;不影响使用GF 28SLPe平台合格IP的设计流程(EG流程);可立即提供4~32 Mb的现成宏程序;可从SST或GF获得定制宏设计支持。

关 键 词：FLASH技术 编程时间 嵌入式闪存 MICROCHIP CMOS器件 Super 单元尺寸 STORAGE 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]