热载流子注入效应

作品数：11被引量：15H指数：3
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相关作者：章晓文恩云飞赵毅孔学东张晓明更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司长江存储科技有限责任公司信息产业部电子第五研究所更多>>
相关期刊：《微电子学》《中国集成电路》《电子质量》《电力电子技术》更多>>
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22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第5期384-388,共5页王保顺 崔江维 郑齐文 席善学 魏莹 雷琪琪 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11605282,11505282,11805268);中国科学青年创新促进会资助项目(2018473);中国科学院西部之光资助项目(2019-XBQNXZ-A-003)。
为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器...
关键词：鳍式场效应晶体管 热载流子注入效应 总剂量效应 
基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
《中国科学：信息科学》2014年第7期912-919,共8页冯慧 安霞 杨东 谭斐 黄良喜 武唯康 张兴 黄如 
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:2011CBA00601);国家自然科学基金(批准号:60836004;60806033;60925015);国家科技重大专项(02专项)资助
自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINM...
关键词：自热效应 热载流子注入效应 热电阻 SOI 寿命预测 
热载流子注入效应的可靠性评价技术研究被引量：1
《微电子学》2013年第6期876-880,共5页章晓文 陈鹏 恩云飞 张晓雯 
研究了热载流子注入效应的可靠性评价方法,利用对数正态拟合的中位失效时间,提取加速寿命试验的模型参数。利用这些模型参数,分别评价了0.18μm CMOS工艺薄栅和厚栅器件的可靠性。结果表明,HCI效应仍然制约着0.18μm CMOS工艺的可靠性...
关键词：CMOS工艺 加速寿命试验 热载流子注入效应 可靠性评价 
LDMOS热载流子注入效应安全工作区的研究
《电力电子技术》2013年第12期11-12,18,共3页马书嫏 王少荣 张爱军 
安全工作区(SOA)是MOSFET器件设计中的一个关键参数。传统CMOS在衬底电流-栅极电压曲线上只出现一个衬底电流峰值,该峰值可直接反映出热载流子注入(HCI)效应最强的位置,因此可以容易地给出其SOA;而对于横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,由于...
关键词：晶体管 安全工作区 热载流子注入 
高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第4期757-764,共8页戴明志 刘韶华 程波 李虹 叶景良 王俊 江柳 廖宽仰 
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件...
关键词：衬底电流 双强电场模型 衬底电流公式 热载流子注入 
N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化被引量：3
《电子器件》2007年第4期1129-1132,共4页王文博 宋李梅 王晓慧 杜寰 孙贵鹏 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314705)
研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果...
关键词：LDMOS 热载流子注入 可靠性 
SOI MOSFET器件的热载流子退化机理
《电子产品可靠性与环境试验》2006年第4期9-13,共5页章晓文 恩云飞 赵文彬 李恒 
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(51433020101DZ1504);电子元器件可靠性物理及应用技术国家级重点实验室基金资助项目(514330504DZ1502)
介绍了绝缘体上硅(SOI)材料的制作方法,阐述了SOI MOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理。研究表明:前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象,对SOI器件的退化构成潜在的威胁。虽然失效机理比体硅器件复杂,但并不会阻碍高性能...
关键词：绝缘体上硅 热载流子注入效应 失效机理 可靠性 
集成电路可靠性评价技术被引量：4
《中国集成电路》2005年第1期83-86,共4页孔学东 章晓文 恩云飞 
对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取器件的可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流...
关键词：超大规模集成电路 TDDB 电迁移效应 热载流子注入效应 圆片级 可靠性评价 失效机理 可靠性模型 可靠性测试 测试结构 
微电子生产工艺可靠性评价与控制被引量：7
《电子产品可靠性与环境试验》2004年第3期1-5,共5页孔学东 恩云飞 章晓文 张晓明 
简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时间有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)效应的评价试验方法及实例。REM技术与工艺过程控制(PCM)、统计工艺控制(SPC)技术结合起来就可以实现对...
关键词：可靠性评估 与时间有关的栅氧化层击穿 热载流子注入效应 电迁移效应 工艺过程控制 
微电子工艺技术可靠性被引量：1
《电子质量》2003年第9期U011-U013,共3页章晓文 
对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入...
关键词：微电子工艺 可靠性 超大规模集成电路 失效机理 热载流子注入效应 金属化电迁移效应 氧化层 
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