云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 黄良喜

黄良喜: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：北京大学更多>>; 发文主题：偏置SOI器件掺杂SOI阈值电压漂移更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《中国科学：信息科学》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>

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基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法: 《中国科学：信息科学》2014年第7期912-919,共8页冯慧安霞杨东谭斐黄良喜武唯康张兴黄如; 国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:2011CBA00601);国家自然科学基金(批准号:60836004;60806033;60925015);国家科技重大专项(02专项)资助; 自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINM...; 关键词：自热效应热载流子注入效应热电阻 SOI 寿命预测