集成电路可靠性评价技术  

作　　者：孔学东[1] 章晓文[1] 恩云飞[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室

出　　处：《中国集成电路》2005年第1期83-86,共4页China lntegrated Circuit

摘　　要：对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取器件的可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入效应、金属化电迁移效应和氧化层的TDDB击穿。本文对这三种失效机理分别进行了介绍,对各自对应的可靠性模型进行了说明,强调了可靠性评价的重要性,给出了可靠性评价在工艺中的应用流程图。

关 键 词：超大规模集成电路 TDDB 电迁移效应 热载流子注入效应 圆片级 可靠性评价 失效机理 可靠性模型 可靠性测试 测试结构 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]