Vishay推出新款30V MOSFET半桥功率级模块输出电流提高11%  

出　　处：《半导体信息》2020年第4期13-13,共1页Semiconductor Information

摘　　要：Vishay推出新款30Vn沟道MOSFET半桥功率级模块——SiZF300DT,将高边TrenchFET和低边SkyFET MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR 3.3mm×3.3mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率,同时有助于减少元器件数量,简化设计,适用于计算和通信应用功率转换。日前发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。通道1 MOSFET在10V和4.5V条件下,最大导通电阻分别为4.5mΩ和7.0mΩ。通道2MOSFET在10V和4.5V条件下,导通电阻分别为1.84mΩ和2.57mΩ。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9nC和19.4nC。

关 键 词：肖特基二极管 导通电阻 栅极电荷 功率转换 通信应用 元器件数量 内部连接 功率级 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]