Vishay推出的新款60 V MOSFET是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件  

Vishay launches new 60 V MOSFET as the industry’s first device for standard gate drive circuits

出　　处：《电源世界》2019年第4期17-18,共2页The World of Power Supply

摘　　要：器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至22.5 nC.Qoss为34.2nC,采用PowerPAK■1212-8S封装宾夕法尼亚、MALVERN-2019年8月12日-日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宜布,推出新款60 V TrenchFET■第四代n沟道功率MOSFET--SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mΩ,采用热增强型3.3mm×3.3 mm PowerPAK■1212-8S封装。

关 键 词：栅极驱动电路 功率MOSFET 导通电阻 栅极电荷 首款 Power 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]