Vishay 30Vp沟道TrenchFET第四代功率MOSFET大幅提高功率密度  

出　　处：《半导体信息》2020年第1期10-10,共1页Semiconductor Information

摘　　要：日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新型-30Vp沟道TrenchFET■第四代功率MOSFET—SiSS05DN,器件采用热增强型3.3mm×3.3mm PowerPAK■1212-8S封装,10V条件下导通电阻达到业内最低的3.5mW。于此同时,导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET在开关应用的重要优值系数(FOM)为172mW*nC,达到同类产品最佳水平。

关 键 词：功率MOSFET 导通电阻 栅极电荷 优值系数 最佳水平 功率密度 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]