优值系数

作品数：53被引量：225H指数：8
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铋基材料光催化还原水中六价铬的研究进展被引量：1
《Chinese Journal of Catalysis》2023年第12期20-43,共24页孙阳 Jan E.Szulejko Ki-Hyun Kim Vanish Kumar 李小伟 
supported partially by a grant from the National Research Foundation of Korea (NRF) funded by the Ministry of Science and ICT (MSIT) of the Korean government (2021R1A3B1068304)。
光催化还原是处理水溶液体系中六价铬(Cr(VI))的一种新方法.层状铋(Bi)基材料具有增强的光捕获能力和可调的带隙能量,被认为是一种光催化还原去除Cr(VI)的有效材料.本文从修饰策略(如异质结、缺陷工程和掺杂)和工艺变量(如溶液p H和添...
关键词：光催化 铬 半导体 铋 优值系数 
600V EF系列快速体二极管MOSFET
《传感器世界》2021年第1期42-42,共1页
Vishay推出第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET器件——SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n系列SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29%,为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案,同时栅极电荷下降60%,从而使器件导通电阻...
关键词：导通电阻 栅极电荷 MOSFET器件 功率转换 优值系数 体二极管 SIH 企业级 
取向多孔钛酸钡基陶瓷的介电与压电性能被引量：4
《中南大学学报（自然科学版）》2020年第11期3136-3143,共8页鲍寅祥 张妍 周科朝 黄伯云 
湖南省第十二批“百人计划”项目(2019)。
采用冷冻浇注法制备取向多孔0.5Ba(Ti0.8Zr0.2)O3−0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3(BCZT)压电陶瓷。研究结果表明:制得的压电陶瓷材料孔隙率为18%~44%,取向孔道的层间距随孔隙率的减少而增加,最大为25μm。由于电场局部集中,相同电场条件极化后的...
关键词：钛酸钡基 无铅压电陶瓷 取向孔道 压电优值系数 多孔陶瓷 
Vishay 30Vp沟道TrenchFET第四代功率MOSFET大幅提高功率密度
《半导体信息》2020年第1期10-10,共1页
日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新型-30Vp沟道TrenchFET■第四代功率MOSFET—SiSS05DN,器件采用热增强型3.3mm×3.3mm PowerPAK■1212-8S封装,10V条件下导通电阻达到业内最低的3.5mW。于此同时,导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET...
关键词：功率MOSFET 导通电阻 栅极电荷 优值系数 最佳水平 功率密度 
Vishay高效80V MOSFET实现最佳优值系数
《半导体信息》2020年第1期10-11,共2页
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款6.15mm×5.15mm PowerPAK■SO-8单体封装的—SiR680ADP,它是80V TrenchFET■第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率,从而节...
关键词：功率MOSFET 导通电阻 栅极电荷 优值系数 功率转换 开关电路 拓扑结构 最佳水平 
高体积优值系数振动能量采集器的设计与性能测试被引量：3
《振动与冲击》2018年第10期102-109,共8页任龙 陈仁文 Stephen Burrow 夏桦康 张笑笑 
江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(KYLX15-0228);江苏省高校优势学科建设工程(PAPD)
小尺寸振动能量采集器通常难以高效采集低频振动能量。为提高能量采集效率,设计了一种高体积优值系数磁电式能量采集器。采用集总参数等效磁路模型对其换能系统的部分结构参数进行了优化,以提高感应线圈运动区域中运动方向上的磁链梯度...
关键词：振动能量采集器 磁电式 体积优值系数 等效磁路模型 有限元分析 
Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度
《电子制作》2017年第23期65-65,共1页
Vishay推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay Siliconix Si RA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数（FOM...
关键词：功率MOSFET N沟道 功率密度 电源效率 导通电阻 SO-8封装 栅极电荷 优值系数 
Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度
《半导体信息》2017年第6期10-10,共1页
Vishay推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数（FOM）...
关键词：功率MOSFET 功率密度 N沟道 电源效率 导通电阻 SO-8封装 栅极电荷 优值系数 
Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET
《半导体信息》2017年第2期9-9,共1页
日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件——SiHP065N60E。VishaySiliconixN沟道Si—HP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低30％，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方...
关键词：功率MOSFET 导通电阻 栅极电荷 优值系数 功率转换 INC 第四代 电阻比 
具有超低导通电阻的600V功率MOSFET
《今日电子》2017年第4期66-66,共1页
SiHP065N60E是VishaY第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件。N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低30％，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数（FOMRII栅极电荷与导通电...
关键词：功率MOSFET 低导通电阻 栅极电荷 优值系数 功率转换 第四代 电阻比 N沟道 
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