Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度  

出　　处：《电子制作》2017年第23期65-65,共1页Practical Electronics

摘　　要：Vishay推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay Siliconix Si RA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数（FOM）也达到最低。发布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAKSO-8封装,是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。

关 键 词：功率MOSFET N沟道 功率密度 电源效率 导通电阻 SO-8封装 栅极电荷 优值系数 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]