Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET  

出　　处：《半导体信息》2017年第2期9-9,共1页Semiconductor Information

摘　　要：日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件——SiHP065N60E。VishaySiliconixN沟道Si—HP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低30％，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数（FOM即栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600VMOSFET在功率转换应用的关键指标。

关 键 词：功率MOSFET 导通电阻 栅极电荷 优值系数 功率转换 INC 第四代 电阻比 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]