Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度  

出　　处：《半导体信息》2017年第6期10-10,共1页Semiconductor Information

摘　　要：Vishay推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数（FOM）也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。此次发布的MOSFET采用6mm×5mm PowerPAK SO-8封装,是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比,

关 键 词：功率MOSFET 功率密度 N沟道 电源效率 导通电阻 SO-8封装 栅极电荷 优值系数 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]