Vishay高效80V MOSFET实现最佳优值系数  

出　　处：《半导体信息》2020年第1期10-11,共2页Semiconductor Information

摘　　要：日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款6.15mm×5.15mm PowerPAK■SO-8单体封装的—SiR680ADP,它是80V TrenchFET■第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率,从而节省能源,其导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)为129mWnC,达到同类产品最佳水平。

关 键 词：功率MOSFET 导通电阻 栅极电荷 优值系数 功率转换 开关电路 拓扑结构 最佳水平 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]