具有超低导通电阻的600V功率MOSFET  

出　　处：《今日电子》2017年第4期66-66,共1页Electronic Products

摘　　要：SiHP065N60E是VishaY第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件。N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低30％，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数（FOMRII栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600VMOSFET在功率转换应用的关键指标。

关 键 词：功率MOSFET 低导通电阻 栅极电荷 优值系数 功率转换 第四代 电阻比 N沟道 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]