GaN还是SiC,电气工程师该如何选择?  

出　　处：《变频器世界》2024年第12期37-41,共5页The World of Inverters

摘　　要：氮化晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高、导通电阻小、寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管的极小寄生参数、极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动,高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品,对他们的结构、特性、两者的应用差异等方面进行了详细的介绍。

关 键 词：功率半导体 寄生参数 英飞凌科技 氮化镓晶体管 开关速度 导通电阻 开关电源 电气工程师 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]