NCE系列MOSFET管主要参数速查表(一)  

作　　者：景然 

机构地区：[1]不详

出　　处：《家电维修》2021年第1期48-50,共3页Appliance Repairing

摘　　要：说明:(1)表中VDS(max)表示漏源极击穿电压,ID(max)表示漏源极最大直流电流,PD(max)(W)表示环境温度为25℃时的最大耗散功率,VGS(max)表示加在栅源极的最大电压,RDS(on)(typ)表示在外加一定的栅源电压(VGS)导通时,漏源极间的阻抗值。

关 键 词：耗散功率 击穿电压 源极 最大电压 栅源 直流电流 环境温度 阻抗值 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]