栅极驱动器选得好,SiCMOSFET高效又安全  

出　　处：《变频器世界》2025年第1期62-64,共3页The World of Inverters

摘　　要：硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位,这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车(EV)等。然而,市场对更小型化产品的需求,以及设计人员面临的提高电源能效的压力,使得碳化硅(SiC)MOSFET成为这些应用中受欢迎的替代品。与硅基MOSFET一样,SiCMOSFET的工作特性和性能也依赖于栅极驱动电路的设计,该电路负责开启和关闭器件。然而,SiC的特定特性要求对MOSFET器件和栅极驱动电路进行仔细选择,以确保安全地满足应用需求,并尽可能提高效率。在本文中,我们将讨论为SiC MOSFET选择栅极驱动器时应考虑的标准。

关 键 词：不间断电源 MOSFET器件 栅极驱动电路 栅极驱动器 FET 电力电子应用 电机驱动 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]