纳秒级

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基于SiC DSRD纳秒级高压脉冲产生电路关键参数研究
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期331-339,共9页杨早 陈万军 陈资文 
介绍了一种基于漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的纳秒级高压脉冲产生电路的工作原理,对该电路进行建模,并根据模型讨论了影响脉冲输出特性的关键电路参数。实验中采用本实验室研制的高压碳化硅(SiC)DSRD器件在50Ω的标准负载上得到了峰值为2....
关键词:漂移阶跃恢复二极管 电路参数 脉冲电路 纳秒级 碳化硅 
一种测量纳秒级高电压脉冲的D-dot探测器
《强激光与粒子束》2025年第4期127-134,共8页潘子龙 程新兵 陈绒 陈侠 张瀚文 张仁杰 钱宝良 
湖南省研究生科研创新项目(CX20220064)。
设计了一种测量纳秒级高电压脉冲的D-dot探测器,包括微分探头和无源积分器的设计、仿真和实验。该探测器的探头电极可以根据不同的测量器件进行更换,探头电极的轴向长度也可以根据测量需求进行调节。采用CST软件对该探头的电场分布开展...
关键词:D-dot探测器 纳秒级 高电压脉冲 可调节探头 幅频特性 
TVS管在纳秒级强电磁脉冲下的冲击特性
《电瓷避雷器》2025年第1期10-17,共8页李祥超 荆浩楠 赵凯 郭稳 
国家重点研发计划(编号:2017YFC1501505)。
针对防护器件暂态抑制二极管(TVS)在纳秒级强电磁脉冲作用下的特性响应问题。基于TVS管反向击穿理论,采用理论与实验相结合的方法,利用纳秒级强电磁脉冲发生器充当电磁脉冲源,选用1.5KE系列不同型号的TVS管在不同强度的电磁脉冲下进行...
关键词:强电磁脉冲 TVS管 冲击特性 动作时间 
北京交通大学教授梁坤 精雕时间 偏毫厘不敢安
《中国高新科技》2025年第1期11-12,共2页杜月娇 
在普通人的生活中,秒是他们能够感知到的最小时间单位,很少有人对秒以下的高精度时间有清晰的概念和深入了解,但相关的应用却体现在生活的方方面面,例如广播电视发播控制需要毫秒级(ms,10-3s)精度,电网时间同步和故障定位、4G通信基站...
关键词:卫星导航 广播电视 最小时间 纳秒级 相关的应用 微秒级 时间频率传递 故障定位 
亚纳秒级上升沿窄脉冲驱动电路与模拟仿真
《光子学报》2024年第10期126-143,共18页李益 温文龙 王谦豪 李强龙 赵华龙 李峰 
国家重点研究发展计划中国科学院“西部之光”计划(No.XAB2021YN12);陕西青年科技之星(No.2022KJXX-98);中国科学院青年创新促进会(No.XIOPMQCH2021007)。
针对半导体激光二极管(LD)驱动电路中存在的上升沿缓慢问题,设计了一种具有亚纳秒上升沿的窄脉冲电路。从理论方面分析了回路中电感、电容等参数对输出激光脉冲上升沿的影响,驱动电路以内置驱动的GaN集成模块作为主开关进行电路的合理...
关键词:亚纳秒上升沿 窄脉宽 FPGA 驱动电路 恒温控制 
基于纳秒级时钟同步的矿用电缆故障监测与定位系统设计
《现代制造技术与装备》2024年第9期32-34,共3页耿彬 
煤矿井下供电系统电缆故障是制约煤矿安全高效生产的重要因素。针对煤矿供电系统电缆故障预警与快速定位的需求,提出一种基于纳秒级时钟同步技术的矿用电缆故障监测与定位系统。该系统通过在电缆两端部署高精度时钟同步的监测单元,实时...
关键词:矿用电缆 故障监测 故障定位 纳秒级时钟同步 
纳秒级方波脉冲对稳压二极管损伤特性的研究
《电瓷避雷器》2024年第4期10-17,共8页李祥超 王兵 
国家重点研发计划(编号:2017YFC1501505)。
针对强电磁脉冲产生的瞬态过电压会对二极管半导体造成损伤的问题,基于二极管击穿理论,采用理论与实验相结合的方法,使用纳秒级高压方波脉冲源作为电压脉冲源,选用BZX55C系列不同型号的稳压二极管进行了不同脉宽下的方波脉冲注入实验。...
关键词:电磁脉冲 二极管 损伤 
纳秒级脉冲作用下ZnO压敏电阻级间能量配合关系的研究
《电瓷避雷器》2024年第4期37-45,共9页李祥超 郭稳 王兵 
国家重点研发计划资助(编号:2017YFC1501505)。
针对纳秒级的强电磁脉冲对电力系统的损害问题,基于压敏电阻的特性和瞬变场传输理论,通过改变脉冲注入电压分析不同参数的压敏电阻在20/500-550 ns波形下的响应特征,结合滤波器理论,利用ADS(Advanced Design System)仿真软件进行设计,...
关键词:纳秒级电磁脉冲 压敏电阻 滤波器 级间配合 
一种纳秒级半导体激光器集成微模块
《半导体技术》2024年第7期635-641,共7页李军建 赵永瑞 师翔 贾东东 高业腾 赵光璞 贾凯烨 
为提升半导体激光器在高重频下工作的稳定性,并满足模块高集成度的需求,研制了一款纳秒级半导体激光器集成微模块。该微模块包括半导体激光器芯片、装载激光器芯片的基板以及驱动电路。在基板侧面设计金属化过孔,将半导体激光器芯片的...
关键词:半导体激光器 集成封装 垂直发射 GaN驱动器 窄脉冲 
纳秒级自积分罗氏线圈的设计与模型分析
《河北工业大学学报》2024年第2期1-10,29,共11页王坤 王鑫 翟今伟 李志远 张玉轻 
国家自然科学基金资助项目(52177138,51807050);河北省自然科学基金资助项目(E2019202297);河北省省级科技计划资助项目(21567605H,236Z1103G,225676163GH);省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室(河北工业大学)优秀青年创新基金资助项目(EERI_OY2020011)。
面向金属丝电爆炸中快前沿脉冲电流测量,设计了一种体积小、易安装的纳秒级自积分罗氏线圈。由于前进匝易受到平行于待测导体方向磁场的干扰,在罗氏线圈中增加了回线部分。基于每匝线圈的电磁参数提出了一种考虑回线的罗氏线圈的新型改...
关键词:罗氏线圈 金属丝电爆炸 脉冲电流测量 集总参数模型 
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