陈秉克

作品数：4被引量：17H指数：2
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供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司更多>>
发文主题：外延片外延层衬底硅外延电阻率更多>>
发文领域：电子电信文化科学化学工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子工业专用设备》《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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基于三氯硅烷的高质量4H-SiC多片外延生长被引量：2
《半导体技术》2018年第3期228-232,共5页卜爱民 房玉龙 李佳 芦伟立 赵丽霞 杨龙 尹甲运 刘沛 冯志红 陈秉克 蔡树军 
使用三氯硅烷（TCS）作为含氯生长源,在多片外延设备生长了高质量的4H-SiC外延材料。研究了原位预刻蚀气体HCl流量和刻蚀时间对SiC外延材料表面三角形缺陷的影响,使用光学显微镜和表面缺陷分析仪对SiC外延材料表面缺陷进行表征测试和统...
关键词：SIC 外延 三氯硅烷(TCS) 缺陷 不均匀性 
时间依赖性雾(TDH)的产生机理及其消除方法被引量：4
《半导体技术》2009年第7期669-671,共3页赵丽霞 陈秉克 张鹤鸣 
阐述了Si片表面时间依赖性雾的形成过程、分布、形状、密度及识别和去除的方法。通过同样流程清洗、不同条件干燥处理的Si片在不同湿度条件下储存的实验,指出了时间依赖性雾是H与掺杂原子的联合体以及雾是Si片表面与H2O或O2反应生成SiO...
关键词：时间依赖性雾(TDH) 酸根离子 碱根离子 颗粒 光散射 
表面光电压技术在Si外延过程中的应用被引量：1
《微纳电子技术》2009年第6期366-370,共5页赵丽霞 张鹤鸣 陈秉克 
介绍了用表面光电压(SPV)法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法,分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素,得出了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件。提出了在外...
关键词：表面光电压 少数载流子 扩散长度 寿命 外延 衬底 
InP单晶材料现状与展望被引量：10
《电子工业专用设备》2005年第10期10-14,23,共6页孙聂枫 周晓龙 陈秉克 孙同年 
国家自然科学基金项目(编号:60276008)的支持。
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大...
关键词：液封直拉法 气压控制直拉法 垂直梯度凝固 单晶材料 
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