InP单晶材料现状与展望  

Development and Status of InP Single Crystal

作　　者：孙聂枫[1] 周晓龙[1] 陈秉克[1] 孙同年[1] 

机构地区：[1]河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室,河北石家庄050051

出　　处：《电子工业专用设备》2005年第10期10-14,23,共6页Equipment for Electronic Products Manufacturing

基　　金：国家自然科学基金项目(编号:60276008)的支持。

摘　　要：介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。The method of InP single crystal growth, including LEC, TB-LEC, VCZ/PC-LEC, and VGF/VB technique are introduced. These technologies are compared, and their advantages and the latest development are indicated, respectively. The development and key technology of large diameter InP crystal growth are discussed.

关 键 词：液封直拉法 气压控制直拉法 垂直梯度凝固 单晶材料 

分 类 号：TN304.053[电子电信—物理电子学]