栅绝缘层

作品数：25被引量：35H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：仪明东宁策谢振宇解令海黄维更多>>
相关机构：京东方科技集团股份有限公司合肥鑫晟光电科技有限公司北京京东方光电科技有限公司三星显示有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《光电子技术》《电子学报》《无机化学学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
柔性氧化物薄膜晶体管栅绝缘层的研究进展被引量：1
《材料导报》2024年第23期20-28,共9页谭海星 林剑荣 黄培源 彭憬怡 刘思 陈建文 徐华 肖鹏 
广东省科技计划项目(2022A0505020022);粤港澳智能微纳光电技术联合实验室资助项目(2020B1212030010);国家自然科学基金(61804029)。
柔性氧化物薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)因具有迁移率高、电流开关比大、器件均一性好、柔韧性好和轻薄等优点而备受业界关注,广泛应用于柔性有机发光二极管(OLED)显示、柔性传感、仿生突触等领域。其中,栅绝缘层对柔性氧化物...
关键词：柔性 薄膜晶体管 栅绝缘层 高介电常数 
退火温度对基于Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)栅绝缘层的ZnO-TFTs性能的影响
《电子学报》2022年第2期455-460,共6页张琦 叶伟 孙芳莉 萧生 杜鹏飞 
陕西省教育厅专项科学研究计划(No.17JK0144,No.18JK0151);陕西理工大学人才启动项目(No.SLGQD2017-19)。
具有高介电常数的Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)薄膜存在氧空位和陷阱缺陷,因此,使用Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)作为栅绝缘层的ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应和低的电学性能.为了解决这些问题,提高器件性能,本文采用射...
关键词：Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)薄膜 氧化锌薄膜晶体管 射频磁控溅射 退火温度 电容密度 高介电常数 
基于超薄Al2O3栅绝缘层的低工作电压IGZO薄膜晶体管及其在共源极放大器中的应用被引量：4
《发光学报》2020年第4期451-460,共10页张浩 李俊 赵婷婷 郭爱英 李痛快 茅帅帅 原理 张建华 
国家杰出青年科学基金(51725505);上海科学技术委员会项目(18JC1410402,17DZ2281700);博士后创新人才计划(BX20180184)资助项目。
随着薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在各类新兴电子产品中得到广泛应用,作为各类电子设备的关键组件,其工作电压和稳定性面临着巨大挑战。为了满足未来高度集成化、功能复杂的应用场合,实现其低工作电压和高稳定性就变得异常重...
关键词：a-IGZO薄膜晶体管 Al2O3栅绝缘层 原子层沉积 共源极放大器 
Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响
《电子学报》2019年第6期1344-1351,共8页叶伟 崔立堃 常红梅 
陕西省教育厅专项科学研究计划(No.17JK0144,No.18JK0151);陕西省工业自动化重点实验室项目(No.09JS045);陕西理工大学人才启动项目(No.SLGQD2017-19)
具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO 2 修饰的Bi 1.5 Zn 1.0 Nb 1.5 O 7 作为栅绝缘层的ZnO...
关键词：SIO2薄膜 氧化锌薄膜晶体管 修饰层 Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7薄膜 射频磁控溅射 
阳极氧化法制备Mg-Al复合氧化物绝缘层的研究
《光电子技术》2018年第1期23-26,共4页杨耀杰 杨俊华 谭晓婉 李俊峰 李庆青 偰正才 
国家自然科学基金项目(10974136);深圳市重点实验室提升项目(JCYJ20130408172903817);深圳技术大学科研启动项目
栅绝缘层是薄膜晶体管(TFT)的关键组成部分,低成本及低温制备是其未来的发展方向。阳极氧化法是可以实现这些目的的制备工艺技术之一。本文首先采用电子束蒸发在150℃的玻璃基板上制备Mg-Al合金薄膜,然后使用阳极氧化法形成Mg-Al复合氧...
关键词：阳极氧化 栅绝缘层 Mg-Al复合氧化物 
柔性非晶InGaZnO薄膜晶体管栅绝缘层的研究被引量：2
《真空科学与技术学报》2018年第1期43-47,共5页刘国超 张磊 解海艇 周俨 董承远 
采用磁控溅射方法,在聚酰亚胺薄膜上室温制备了非晶铟镓锌氧(a-IGZO)柔性薄膜晶体管(TFT)。其中,栅绝缘层选择了不同厚度比例的氧化硅(SiO_x)与氧化坦(TaO_x)薄膜的搭配,对比研究了不同栅绝缘层结构的薄膜特性以及所对应的柔性TFT器件...
关键词：栅绝缘层 柔性薄膜晶体管 非晶铟镓锌氧 磁控溅射 
提高GaN功率器件开关频率的技术途径被引量：5
《半导体技术》2017年第1期1-9,共9页孙素静 赵正平 冯志红 
GaN基增强型高速开关器件是提升X波段微系统集成放大器工作效率的核心器件。介绍了凹槽栅结构、F-注入等制作GaN基增强型器件的关键技术,同时分析了场板、介质栅等对器件击穿特性的影响。针对影响GaN基功率器件开关特性的主要因素,重点...
关键词：GAN 开关频率 增强型 栅绝缘层 栅驱动电路 
Ta_2O_5-PMMA复合栅绝缘层对OFETs性能的影响（英文）被引量：1
《发光学报》2017年第1期70-75,共6页石晓东 王伟 李春静 任利鹏 尹强 
Supported by Natural Science Fundation of Hebei Province(F2012202075);Tianjin Natural Science Fundation(15JCYBJC52100)~~
选用五氧化二钽(Ta_2O_5)-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料作为栅绝缘层制备了并五苯有机场效应晶体管(OFETs)。通过在Ta_2O_5表面旋涂一层PMMA可以降低栅绝缘层的表面粗糙度,增大其场效应晶体管的迁移率。研究了厚度在20~60 nm范围内的...
关键词：Ta2O5-PMMA 绝缘层 OFETs 迁移率 开关电流比 
基片温度对基于Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的ZnO基TFT性能的影响
《半导体光电》2016年第3期331-337,共7页叶伟 任巍 史鹏 
国家自然科学基金项目(51332003,51202184);中国国际科学技术合作项目(2010DFB13640,2011DFA51880);中国“111工程”项目(B14040)
在不同基片温度(RT、300、400、500和600℃)下,采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜和BZN薄膜。研究表明,所制备的BZN薄膜拥有非晶态结构,ZnO薄膜具有c轴择优取向,在基片温度为500℃时,获得低的漏电流(10-7 A/cm^2),比RT时的漏电流(10-4 A/...
关键词：铋基焦绿石BZN薄膜 ZnO基薄膜晶体管 射频磁控溅射 界面态密度 亚阈值摆幅 
PMMA栅绝缘层表面形貌对并五苯OTFT性能的影响
《微纳电子技术》2015年第9期554-558,580,共6页李雪飞 王伟 王帅 石晓东 
河北省自然科学基金资助项目(F2012202075)
影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的作用,会直接影响有源层材料的分子排列方式和整个器件的性能。以氧化铟锡(ITO)导电薄膜玻璃为衬底材料,...
关键词：有机薄膜晶体管(OTFT) 栅绝缘层 迁移率 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 阈值电压 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部