云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 叶伟

叶伟: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：西安交通大学更多>>; 发文主题：BI1TFTPID控制基片温度界面态密度更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《半导体光电》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金更多>>

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基片温度对基于Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的ZnO基TFT性能的影响: 《半导体光电》2016年第3期331-337,共7页叶伟任巍史鹏; 国家自然科学基金项目(51332003,51202184);中国国际科学技术合作项目(2010DFB13640,2011DFA51880);中国“111工程”项目(B14040); 在不同基片温度(RT、300、400、500和600℃)下,采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜和BZN薄膜。研究表明,所制备的BZN薄膜拥有非晶态结构,ZnO薄膜具有c轴择优取向,在基片温度为500℃时,获得低的漏电流(10-7 A/cm^2),比RT时的漏电流(10-4 A/...; 关键词：铋基焦绿石BZN薄膜 ZnO基薄膜晶体管射频磁控溅射界面态密度亚阈值摆幅