杨智超

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：北京航空航天大学物理科学与核能工程学院物理系更多>>
发文主题：PMOS金属栅极HF稀土掺杂栅介质材料更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《物理》更多>>
所获基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
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稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展被引量：3
《物理学报》2011年第1期811-822,共12页郑晓虎 黄安平 杨智超 肖志松 王玫 程国安 
国家自然科学基金(批准号:50802005;11074020);教育部新世纪优秀人才基金(NCET-08-0035);教育部博士点基金(批准号:200800061055)资助的课题~~
随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷...
关键词：Hf基高k栅介质 稀土掺杂 氧空位缺陷 有效功函数 
pMOS金属栅极材料的研究进展被引量：1
《物理》2010年第2期113-122,共10页杨智超 黄安平 肖志松 
国家自然科学基金(批准号:50802005);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:200800061055)资助项目
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅极已应用于新型MOSFET器件,改善了与高k栅介质的兼容性,并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应....
关键词：PMOS 金属栅极 高A栅介质 功函数 界面偶极子 
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