pMOS金属栅极材料的研究进展  

Progress in the development of pMOS metal gate electrode materials

作　　者：杨智超[1] 黄安平[1] 肖志松[1] 

机构地区：[1]北京航空航天大学物理系,北京100191

出　　处：《物理》2010年第2期113-122,共10页Physics

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50802005);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:200800061055)资助项目

摘　　要：随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅极已应用于新型MOSFET器件,改善了与高k栅介质的兼容性,并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pMOS器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等.As the scaling of metal oxide-semiconductor field effect transistors （MOSFETs） continues towards the 45nm technology node, metal gate electrodes have been used in novel MOSFET devices, improving compati bility with high k dielectrics and eliminating the effects of gate depletion and boron penetration. This paper reviews recent progress, issues that need to be solved, and future trends in the development of pMOS metal gate electrode materials.

关 键 词：PMOS 金属栅极 高A栅介质 功函数 界面偶极子 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]