新一代栅介质材料——高K材料  

New Gate Dielectric Materials——High K Materials

作　　者：李驰平[1] 王波[1] 宋雪梅[1] 严辉[1] 

机构地区：[1]北京工业大学材料科学与工程学院,北京100022

出　　处：《材料导报》2006年第2期17-20,25,共5页Materials Reports

基　　金：北京市教育委员会科技发展计划(Km200310005011);北京市优秀人才培养专项经费资助项目(20041D0501513);北京市"中青年骨干教师培养计划"项目

摘　　要：介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势。This paper provides a brief review of development of the micro-electronic industry; describes how the properties of MOSFETs are affected when the SlOe layer thickness decreases, which leads to the requirement of high-K gate dielectric materials;analyses some sorts of materials for high K gate and the methods for preparing high K film ; summarizes recent progress in high K gate dielectrics and points out some problems to be solved by further research.

关 键 词：高K材料 SiO2栅介质减薄 等效SiO2厚度 介质材料 高介电常数材料 一代 发展趋势 微电子工业 CMOS SIO2 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TM53[电气工程—电器]