解读制程一场纳米级的博弈  

出　　处：《新潮电子》2018年第7期112-120,共9页

摘　　要：用来表述宽度的制程28nm、22nm、14nm、7nm……这些都是人们日常目睹的制程数值,如Inte“l久经沙场”的14nm制程和台积电、三星积极布局的7nm制程,都是终端消费市场经常讨论的话题。从技术角度看,半导体制程指的是场效应MOS管实际制造结束时的栅级引线宽度,也就是栅级多晶硅的宽度。实际中源极和漏极会有少量延伸到栅级下面,所以源极和漏极的实际分隔距离小于栅级宽度。这个有效分开距离被称为有效沟道长度,对晶体管而言是最重要的参数。不过这个参数很难测量,所以一般直接用栅级引线宽度来比较不同的工艺。当一个半导体晶体管工作时,通过给栅极通电,原本处于绝缘状态的硅会变得可导通,此时,电流(电子)单向地从源极流向漏极,而两者之间的距离(沟道长度)就是我们平时所说的“制程数字”。

关 键 词：半导体制程 纳米级 博弈 解读 沟道长度 消费市场 实际制造 MOS管 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]