金属氧化物型阻变存储器编程方案的优化设计  

作　　者：张峻豪 

机构地区：[1]北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院,北京100096

出　　处：《科技与创新》2024年第12期43-46,共4页Science and Technology & Innovation

摘　　要：近年来,随着半导体技术的快速发展及各种智能产品的普及,消费者对存储器的性能要求越来越高,但经过几十年的快速发展,目前主流的非易失性存储器尺寸已逼近物理极限。阻变存储器(RRAM)因其良好的扩展性、更低的功耗、更快的操作速度,成为未来新型非易失性存储器的主要候选者之一。阻变存储器虽然展现出巨大的应用潜力,但目前技术还不够成熟,主要表现在器件可靠性不足。提出并验证了一种优化的脉冲编程方案,不需要特别的工艺或电路设计,通过脉冲编程波形的优化改善了RRAM器件阻值的均一性。

关 键 词：非易失性存储器 编程方案 均一性 可靠性 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]