欧姆接触特性

作品数：22被引量：29H指数：3
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p型InGaAs薄层半导体欧姆接触特性分析
《微纳电子技术》2024年第6期62-67,共6页宋红伟 宋洁晶 秦龙 
从电流在金属和半导体界面的拥堵效应出发,依据圆形传输线模型(CTLM)推导出适用于金属和薄层半导体间欧姆接触电阻率的表达式。利用四探针电阻测量法、高导电性下小电流密度测试法以及对薄膜电阻和传输线长度采用非线性拟合的方法获得...
关键词：欧姆接触特性 薄层半导体 掺杂浓度 合金温度 
重掺杂p型SiC晶片Ni/Al欧姆接触特性
《半导体技术》2024年第5期417-424,共8页杨磊 程佳辉 杨蕾 张泽盛 龚春生 简基康 
广东省自然科学基金面上项目(2022A1515012628);北京市科技计划项目(Z231100006023015)。
系统研究了Al和Ni/Al两种金属体系在重掺杂p型SiC晶片上的欧姆接触特性和电学性质。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和综合物性测量系统对这两种电极表面的微观结构和样品的电学性质进行了表征。结果表明:在真空环境下经过800℃退火后Al...
关键词：p型SiC Ni/Al 欧姆接触 重掺杂 液相法 
Ni膜厚度对4H-SiC欧姆接触特性的影响被引量：1
《传感器与微系统》2022年第12期26-28,共3页王博 程萍 
碳化硅(SiC)作为第三代半导体,具有宽禁带、高临界场强、高热导率、耐高温、耐腐蚀等优良性能,然而,良好的欧姆接触是制造SiC器件必不可少的条件。目前,关于SiC欧姆接触的研究还不成熟,报道较多的是金属材料镍(Ni),但有待更加深入的研...
关键词：碳化硅 镍膜 厚度 退火 比接触电阻 
基于非磁性材料Cr/Au的VCSEL欧姆接触特性被引量：2
《微纳电子技术》2020年第6期430-435,449,共7页宋金伟 张峰 郭艳玲 关宝璐 
国家自然科学基金资助项目(60908012,61575008,61775007);北京市自然科学基金资助项目(4172011)。
采用圆点传输线模型(CDTLM),对基于非磁性材料Cr/Au的垂直腔面发射激光器(VCSEL)n型GaAs欧姆接触系统进行了研究。实验结果表明,在400℃下退火35 s后,基于非磁性材料Cr/Au (50 nm/300 nm)的n型GaAs欧姆接触系统具有低的比接触电阻率,其...
关键词：垂直腔面发射激光器(VCSEL) 圆点传输线模型(CDTLM) 非磁性材料Cr/Au 比接触电阻率 欧姆接触 
Ti/Al/Ni/Au金属体系在N-polar GaN上的欧姆接触特性
《半导体光电》2016年第3期366-369,共4页王现彬 赵正平 
河北省科技计划项目(F2013106079;15210606);石家庄市科学技术研究与发展指导计划项目(11113481)
利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)在SiC衬底上外延生长了N-polar GaN材料,采用传输线模型(TLM)分析了Ti/Al/Ni/Au金属体系在N-polar GaN上的欧姆接触特性。结果表明,Ti/Al/Ni/Au(20/60/10/50nm)在N-polar GaN上可形成比接触电阻率...
关键词：欧姆接触 TI/AL/NI/AU 氮极性 氮化镓 
多层Ti/Al电极结构对Ga N/AlGaN HEMT欧姆接触特性的影响被引量：1
《发光学报》2016年第2期219-223,共5页于宁 王红航 刘飞飞 杜志娟 王岳华 宋会会 朱彦旭 孙捷 
北京市15青年拔尖项目(311000543115501);中山市科技计划(2014A2FC305);国家自然科学基金(61204011);科研基地建设(PXM2015_014204_500008)资助项目
研究了多层Ti/Al结构电极对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响。采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量,采用扫描电子显微镜对电极表面形态进行扫描。实验结果显示,在同样的退火条件下,随着Ti/Al层数的增加,比...
关键词：高电子迁移率晶体管 欧姆接触 退火 比接触电阻率 
采用复合帽层改善GaAs HEMT/PHEMT的欧姆接触特性被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第2期197-201,共5页黄念宁 韩克锋 高喜庆 邹鹏辉 高建峰 
GaAs HEMT/PHEMT的欧姆特性对器件的性能和可靠性至关重要,通常为了得到最好的欧姆接触特性,帽层(CAP层)的掺杂浓度大约在5E+18cm-3的水平,已经达到了GaAs掺杂的极限。为了进一步改善GaAs HEMT/PHEMT欧姆特性,本文的研究工作是在砷化镓...
关键词：复合帽层 接触电阻率 一致性 热可靠性 
Ni层厚度对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响被引量：2
《半导体光电》2014年第5期850-854,共5页周勋 罗木昌 赵文伯 黄烈云 
对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与...
关键词：P型GAN 欧姆接触 Ni/Au电极 Ni层厚度 
Ag/Au与n-ZnO的欧姆接触特性的研究被引量：1
《光电子．激光》2014年第8期1511-1515,共5页邓叶 王晓东 朱彦旭 曹伟伟 刘飞飞 杜志娟 于宁 
国家自然科学基金(61107026;61204011);北京市自然科学基金(4112006);北京市教委科研计划(KM201210005004)资助项目
为了更好实现ZnO材料在光电器件方面的应用,研究了Ag/Au和n-ZnO薄膜的欧姆接触。通过半导体特性分析系统测出欧姆接触的I-V特性曲线和采用挖补圆盘法测试了欧姆接触的接触电阻率,研究了退火温度对接触特性的影响。利用俄歇电子能谱(AES...
关键词：AG AU n-ZnO 欧姆接触 
多晶硅纳米膜欧姆接触特性的研究被引量：1
《黑龙江工程学院学报》2013年第1期71-74,共4页崔虹云 张海丰 吴云飞 李祖君 王超 董艳红 
黑龙江省教育厅科学技术研究面上项目(12511569)
采用LPCVD和PECVD方法制作单层金属铝的多晶硅纳米膜欧姆接触,并用X射线对其表征,说明铝膜具有多晶结构。在温度为450℃的条件下,分别对5min、20min和40min的不同退火时间进行测试,得到在20min时Ⅰ-Ⅴ特性曲线表现出好的欧姆接触,构成...
关键词：多晶硅纳米膜 欧姆接触 I—V特性 
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