董艳红

作品数：17被引量：8H指数：2
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供职机构：佳木斯大学理学院更多>>
发文主题：物理学声乐参照系分子运动气体更多>>
发文领域：理学电子电信天文地球电气工程更多>>
发文期刊：《齐齐哈尔大学学报（自然科学版）》《佳木斯大学学报（自然科学版）》《科技信息》《黑龙江工程学院学报》更多>>
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使用DGS结构的宽带Wilkinson功分器设计
《黑龙江工程学院学报》2020年第2期18-20,共3页许莫琪 董艳红 胡文慧 吴云飞 
佳木斯大学2018年度省属高校基本科研业务费备案(2018-KYYWF-0954)。
功分器作为射频微波电路中常用的无源器件,一直以来都得到广泛的应用。首先介绍缺陷地结构,并对缺陷地模型进行理论分析,然后基于缺陷地结构设计1种工作在18~40 GHz频率范围内的渐变线的宽带Wilkinson功分器,仿真结果表明:在18~40 GHz...
关键词：缺陷地 渐变线 等效模型 WILKINSON功分器 
一种具有低插入损耗耗PIN SPDT开关设计被引量：1
《佳木斯大学学报（自然科学版）》2016年第6期939-942,共4页吴云飞 董艳红 侯宪春 张漫 何生晖 
佳木斯大学科学技术研究面上项目(L2013-084)
目前射频单刀双掷开关是射频控制电路的基本器件,其主要作用是控制射频微波传输系统中微波信号的通断。经常被应用于诸如微波信号源用的脉冲调制器,以及目前公网RRU中的驻波检测与DPD校准侧,通过切换开关,实现驻波检测以及DPD校准等功能...
关键词：PIN二极管 射频开关 单刀双掷 
GaN基HFET多栅指结构自加热效应及其优化
《齐齐哈尔大学学报（自然科学版）》2015年第5期60-62,共3页董艳红 吴云飞 王洪涛 崔虹云 张漫 
佳木斯大学2013科学技术研究面上项目(L2013-084);佳木斯大学2014科学技术研究面上项目(L2014-020)
研究了在大功率工作条件下的Ga N HFET器件的自加热效应。当Ga N HFET器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应,将会使得器件的有源沟道层的温度升高,影响到器件的工作特性。首先分析了多栅指结构的Ga N HFET器件在一定功耗条件下...
关键词：GAN HFET 自加热效应 优化结构 
Blazar天体宽波段谱指数之间的相关分析
《齐齐哈尔大学学报（自然科学版）》2015年第3期39-41,共3页吴云飞 马佳 崔虹云 董艳红 张漫 
佳木斯大学2012科学技研究项目青年基金(Lq2012-42);佳木斯大学2013科学技术研究项目(L2013-081;L2013-084);佳木斯大学2014科学技术研究面上项目(L2014-020)
对Fossati,Hartman,Dai and Giridhar等人的研究中所给出的Blazar样本,分别计算从射电到X射线波段、宽波段光谱指数。在此基础上研究了LBLs,HBLs和FSRQs间的宽波段谱指数的相关性质。结果表明,所有的LBLs,HBLs和FSRQs之间αro和αrx存...
关键词：耀变体 宽波段谱指数 相关性分析 
脉冲星磁球层非热谱的相关性研究
《高师理科学刊》2015年第5期30-33,共4页吴云飞 刘景林 董艳红 曹亚杰 侯宪春 崔虹云 
佳木斯大学2012校级青年基金项目(Lq2012-42);佳木斯大学2013科学技术研究面上项目(L2013-081;L2013-084);佳木斯大学2014科学技术研究面上项目(L2014-020)
利用蒙特卡洛方法,模拟了脉冲星磁球层中全极冠级联过程的非热辐射.对一给定的位于中子星表面以上一定高度的平行于开场线的电场,原初粒子由该平行电场加速并通过曲率辐射损失其能量,曲率辐射产生的光子通过对产生过程被转化为电子-正...
关键词：脉冲星 非热谱 磁球层 
集成电路故障检测装置中数据通道设计
《佳木斯大学学报（自然科学版）》2014年第3期450-451,共2页朱雪彤 董艳红 赵鹏起 储怡 张海丰 孙薇薇 薛泽利 崔红云 
黑龙江省教育厅2013年自然科学类项目(12533069);佳木斯大学科学技术研究面上项目(L2012-040;Lq2012-41;L2013-084;L2013-081)
集成电路是20世纪60年代初期发展起来的一种半导体器件,随着集成电路集成度的迅速提高,它的故障检测与维修也变得更加困难.为了能够快速准确地找到故障位置,我们设计了非接触式的故障检测系统,本文给出了数据传输通道的具体电路及部分...
关键词：集成电路 故障检测 数据通道 电路仿真 
SiC基HEMTs器件的沟道温度热仿真
《佳木斯大学学报（自然科学版）》2013年第2期299-302,共4页侯宪春 吴云飞 董艳红 
佳木斯大学2012科学技术研究面上项目(L2012-046);佳木斯大学2011科学技术研究青年基金项目Lq2011-029
GaN作为第三代半导体材料,具有大的禁带宽度,高的饱和速度以及非常高的漏电流密度,导致了AlGaN/GaN HEMTs器件在高温,高功率应用方面脱颖而出.本文通过使用有限元法,实现了在稳态条件下对高电子迁移率晶体管(HEMTs)的温度分布,得到了沟...
关键词：高电子迁移率晶体管 有限元法 沟道温度 
多晶硅纳米膜欧姆接触特性的研究被引量：1
《黑龙江工程学院学报》2013年第1期71-74,共4页崔虹云 张海丰 吴云飞 李祖君 王超 董艳红 
黑龙江省教育厅科学技术研究面上项目(12511569)
采用LPCVD和PECVD方法制作单层金属铝的多晶硅纳米膜欧姆接触,并用X射线对其表征,说明铝膜具有多晶结构。在温度为450℃的条件下,分别对5min、20min和40min的不同退火时间进行测试,得到在20min时Ⅰ-Ⅴ特性曲线表现出好的欧姆接触,构成...
关键词：多晶硅纳米膜 欧姆接触 I—V特性 
双原子分子中电子对相关能级的理论计算
《齐齐哈尔大学学报（自然科学版）》2010年第6期29-32,共4页吴云飞 董艳红 王洪涛 芦颖 孙薇薇 
佳木斯大学2009科学技术研究面上项目(L2009-152)
首先介绍了闭壳层组态HFR方程对双原子分子总能量的求解方法,然后用独立电子对近似(IEPA)方法介绍了双原子分子中电子对的相关能级求法,并讨论所用的独立电子对近似方法在电子相关能问题上的优劣。
关键词：独立电子对近似(IEPA) 电子对相关 优劣 
探讨物理学中的美
《中国科技信息》2010年第13期197-198,共2页董艳红 
论述了物理学中蕴含的美学,分析了物理学的简洁美、对称美、和谐统一美,激发人们能从美学的角度认识神奇的物理世界。
关键词：物理学 简洁美 对称美 和谐统一美 
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