SiC基HEMTs器件的沟道温度热仿真  

Thermal Simulation of SiC-based HEMTs

作　　者：侯宪春[1] 吴云飞[1] 董艳红[1] 

机构地区：[1]佳木斯大学理学院,黑龙江佳木斯154007

出　　处：《佳木斯大学学报（自然科学版）》2013年第2期299-302,共4页Journal of Jiamusi University：Natural Science Edition

基　　金：佳木斯大学2012科学技术研究面上项目(L2012-046);佳木斯大学2011科学技术研究青年基金项目Lq2011-029

摘　　要：GaN作为第三代半导体材料,具有大的禁带宽度,高的饱和速度以及非常高的漏电流密度,导致了AlGaN/GaN HEMTs器件在高温,高功率应用方面脱颖而出.本文通过使用有限元法,实现了在稳态条件下对高电子迁移率晶体管(HEMTs)的温度分布,得到了沟道温度随着沟道位置的不同而不同的变化图.通过仿真得到,在中心沟道处的温度最高,以及随着远离沟道中心,沟道温度将会减小的结论.A1GaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） are promising candidates for high temperature and high power microwave applications due to the material properties such as large band gap energy, high saturation velocity, and high drain current density. In this paper, the HEMTs channel temperature distributions was got by using the FEM in steady state conditions. It can be concluded that the channel temperature changes with the channel positions. Though the simulation, the highest temperature located in the center channel, and will decrease with the distance from the channel center.

关 键 词：高电子迁移率晶体管 有限元法 沟道温度 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]