云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- TI/AL/NI/AU

TI/AL/NI/AU: 作品数：14被引量：12H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张弓长王承栋冯士维张跃宗张国义更多>>; 相关机构：北京工业大学北京大学西安电子科技大学石家庄学院更多>>; 相关期刊：《科学通报》《微纳电子技术》《材料导报》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划河北省科技计划项目更多>>

Mechanism of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures via laser annealing: 《Chinese Physics B》2019年第3期342-346,共5页Mingchen Hou Gang Xie Kuang Sheng; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.51577169 and 51777187);the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2017YFB0402804); The physical mechanisms of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures by laser annealing and rapid thermal annealing are systematically investigated. The microstructures indicate that a better surface mo...; 关键词：GALLIUM NITRIDE ohmic CONTACTS laser ANNEALING current transport MECHANISM

Effect of annealing temperature on Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts on undoped AlN films: 《Journal of Semiconductors》2017年第11期109-112,共4页Xuewei Li Jicai Zhang Maosong Sun Binbin Ye Jun Huang Zhenyi Xu Wenxiu Dong Jianfeng Wang Ke Xu; The Ti/Al/Ni/Au metals were deposited on undoped AlN films by electron beam evaporation. The influence of annealing temperature on the properties of contacts was investigated. When the annealing temperatures were betw...; 关键词：ohmic contacts AlN annealing temperature Ti/Al/Ni/Au

Ti/Al/Ni/Au在GaN N面上的欧姆接触被引量：2: 《半导体技术》2017年第9期701-705,共5页徐真逸叶斌斌蓝剑越董超李雪威王建峰徐科; 国家自然科学基金资助项目(61574164;11435010); 以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属体系,通过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀的预处理,在氢化物气相外延法生长的单晶氮化镓(GaN)材料的N面实现了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.7×10-4Ω·cm^2。通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、阴极荧...; 关键词：TI/AL/NI/AU N面欧姆接触电感耦合等离子体(ICP) 铁掺杂

Ti/Al/Ni/Au在N-polarGaN上的欧姆接触被引量：2: 《材料导报》2017年第4期14-16,共3页王现彬王颖莉赵正平; 河北省科技计划项目(15210606);石家庄学院科研启动项目(16BS004); N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点。以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属,分析了N-polar GaN上欧姆接触的最优退火条件,并借助剖面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线...; 关键词：TI/AL/NI/AU 欧姆接触氮极性氧化铝

Ti/Al/Ni/Au金属体系在N-polar GaN上的欧姆接触特性: 《半导体光电》2016年第3期366-369,共4页王现彬赵正平; 河北省科技计划项目(F2013106079;15210606);石家庄市科学技术研究与发展指导计划项目(11113481); 利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)在SiC衬底上外延生长了N-polar GaN材料,采用传输线模型(TLM)分析了Ti/Al/Ni/Au金属体系在N-polar GaN上的欧姆接触特性。结果表明,Ti/Al/Ni/Au(20/60/10/50nm)在N-polar GaN上可形成比接触电阻率...; 关键词：欧姆接触 TI/AL/NI/AU 氮极性氮化镓

晶格匹配InAlN/GaN异质结Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的温度依赖特性: 《科学通报》2016年第10期1130-1134,共5页汪照贤闫大为张丹丹顾晓峰; 国家自然科学基金(61504050);中央高校基本科研业务费专项(JUSRP51510和JUSRP51323B);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053);江苏省普通高校研究生科研创新计划(KYLX15_1195)资助; 在硅衬底晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结外延片上制备了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触传输线模型测试结构,通过测试变温电流-电压特性研究方块电阻(R_(sh))和比接触电阻率(ρ_(sc))的温度依赖特性.结果表明:(1)沟道层的R_(sh)对温度呈指...; 关键词：晶格匹配 InAlN/GaN异质结欧姆接触温度依赖特性类金属特性热场发射

Analysis of the ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMTs by the multi-step annealing process: 《Journal of Semiconductors》2012年第6期31-36,共6页颜伟张仁平杜彦东韩伟华杨富华; supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CB934104); The multi-step rapid thermal annealing process of Ti/Al/Ni/Au can make good ohmic contacts with both low contact resistance and smooth surface morphology for AlGaN/GaN HEMTs.In this work,the mechanism of the multi-ste...; 关键词：AlGaN GaN high electron mobility transistor annealing ohmic contact

Ohmic Contact Property of Ti/Al/Ni/Au on AlGaN/GaN Heterostructures for Application in Ultraviolet Detectors: 《Journal of Semiconductors》2008年第11期2187-2191,共5页张军琴杨银堂柴常春李跃进贾护军; the Pre-Research Foundation from the National Ministries and Commissions(Nos.51323040118,513080302)~~; Ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au multi-layer metal on A10.27 Ga0.73N/GaN heterostructures were fabricated. Specific contact resistivities were measured by the linear transmission line method （LTLM） and the circular tra...; 关键词：ALGAN/GAN ohmic contact specific contact resistivity transmission line method TI/AL/NI/AU ultravi-olet detectors

高温下n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的可靠性研究: 《北京工业大学学报》2007年第11期1153-1157,共5页张跃宗冯士维张弓长王承栋吕长志; 国家863项目(编号2006AA03A112); 研究了高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15 nm/220 nm/40 nm/50 nm)四层复合金属层与n-GaN(N_d= 3.7×10^(17)cm^(-3),N_d=3.0×10^(18)cm^(-3))的欧姆接触特性,试验结果标明,当测量温度低于300℃时,存储时间为0～24h,其接触电阻率基本不变,...; 关键词：欧姆接触接触电阻率可靠性

n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究: 《微纳电子技术》2007年第7期72-75,共4页张跃宗冯士维张弓长王承栋; 国家863项目(2006AA03A112); 主要对n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触在高温下(500℃)的特性进行了研究,发现在所测温度范围内,接触电阻率随测量温度的升高呈现出增加的趋势,接触开始退化。同时分析研究了在不同高温、不同时间范围内(24h)欧姆接触高温存储前后的变化,分...; 关键词：欧姆接触接触电阻率 X射线衍射能谱

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