于宁

作品数:5被引量:8H指数:1
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供职机构:北京工业大学更多>>
发文主题:高电子迁移率晶体管二维电子气沟道电流氮化镓欧姆接触特性更多>>
发文领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《光电子.激光》《发光学报》《激光技术》《仪表技术与传感器》更多>>
所获基金:中山市科技计划项目国家自然科学基金国家科技支撑计划北京市自然科学基金更多>>
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GaN基微腔传感器悬空隔膜的力电转换的ANSYS研究
《激光技术》2016年第6期791-795,共5页朱彦旭 杜志娟 刘飞飞 于宁 王岳华 宋会会 王红航 
国家科技支撑计划资助项目(2011BAE01B14);北京市15青年拔尖基金资助项目(311000543115501);中山市科技计划资助项目(2014A2FC305);科研基地建设基金资助项目(PXM2014-014204-500008)
为了深入研究氮化镓薄膜的压电效应和机械特性,基于气体直接吸收红外辐射的原理,将基于氮化镓悬空隔膜的充气微腔红外传感器项目作为背景,以氮化镓/铝镓氮薄膜作为敏感单元,在材料力学以及压电效应方面,采用有限元分析软件ANSYS 14.0进...
关键词:薄膜 输出电压 ANSYS 14. 0 机械应力 压电效应 
高压LED阵列电学特性的优化方法的研究
《仪表技术与传感器》2016年第8期81-83,91,共4页王红航 杜志娟 刘飞飞 于宁 朱彦旭 王岳华 宋会会 曹伟伟 
国家支撑计划项目(2011BAE01B14);北京市教委基金项目(KM201210005004);北京市15青年拔尖项目(311000543115501);中山市科技计划项目(2014A2FC305);北京市教委项目(PXM2014_014204_500008);电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室开放基金(412S0601)
高压LED制备工艺中,优化电极参数是获得均匀分布电流,改善电流输运特性,提高器件出光效率的主要方法之一。改进不同隔离层制备工艺参数与电极参数,抽样检测样品,对结果分析发现,Cr/Au电极厚度分别达到500 nm/300 nm后,总体提高了高压LE...
关键词:氮化镓 电极参数 高压LED 电流输运特性 光输出功率 电学特性 
多层Ti/Al电极结构对Ga N/AlGaN HEMT欧姆接触特性的影响被引量:1
《发光学报》2016年第2期219-223,共5页于宁 王红航 刘飞飞 杜志娟 王岳华 宋会会 朱彦旭 孙捷 
北京市15青年拔尖项目(311000543115501);中山市科技计划(2014A2FC305);国家自然科学基金(61204011);科研基地建设(PXM2015_014204_500008)资助项目
研究了多层Ti/Al结构电极对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响。采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量,采用扫描电子显微镜对电极表面形态进行扫描。实验结果显示,在同样的退火条件下,随着Ti/Al层数的增加,比...
关键词:高电子迁移率晶体管 欧姆接触 退火 比接触电阻率 
GaN HEMT器件结构的研究进展被引量:6
《发光学报》2015年第10期1178-1187,共10页于宁 王红航 刘飞飞 杜志娟 王岳华 宋会会 朱彦旭 孙捷 
北京市15青年拔尖项目(311000543115501);中山市科技计划(2014A2FC305);国家自然科学基金(61204011);科研基地建设(PXM2015_014204_500008)资助项目
Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶...
关键词:高电子迁移率晶体管 氮化镓 高频 结构设计 
Ag/Au与n-ZnO的欧姆接触特性的研究被引量:1
《光电子.激光》2014年第8期1511-1515,共5页邓叶 王晓东 朱彦旭 曹伟伟 刘飞飞 杜志娟 于宁 
国家自然科学基金(61107026;61204011);北京市自然科学基金(4112006);北京市教委科研计划(KM201210005004)资助项目
为了更好实现ZnO材料在光电器件方面的应用,研究了Ag/Au和n-ZnO薄膜的欧姆接触。通过半导体特性分析系统测出欧姆接触的I-V特性曲线和采用挖补圆盘法测试了欧姆接触的接触电阻率,研究了退火温度对接触特性的影响。利用俄歇电子能谱(AES...
关键词:AG AU n-ZnO 欧姆接触 
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