云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GGNMOS

GGNMOS: 作品数：31被引量：45H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘瑶杨银堂顾祥姜玉稀高英俊更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国电子科技集团第五十八研究所华南理工大学广西大学更多>>; 相关期刊：《西北大学学报（自然科学版）》《微电子学与计算机》《Chinese Journal of Electronics》《上海建桥学院学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国防科技技术预先研究基金广西大学科研基金更多>>

Trigger mechanism of PDSOI NMOS devices for ESD protection operating under elevated temperatures: 《Chinese Physics B》2021年第7期613-618,共6页Jia-Xin Wang Xiao-Jing Li Fa-Zhan Zhao Chuan-Bin Zeng Duo-Li Li Lin-Chun Gao Jiang-Jiang Li Bo Li Zheng-Sheng Han Jia-Jun Luo; the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61804168)。; Trigger characteristics of electrostatic discharge(ESD)protecting devices operating under various ambient temperatures ranging from 30℃to 195℃are investigated.The studied ESD protecting devices are the H-gate NMOS t...; 关键词：ESD trigger voltage TEMPERATURE GGNMOS GTNMOS TCAD

静电注入对55nm MV/HV GGNMOS ESD性能的影响被引量：1: 《微电子学》2021年第1期132-136,共5页王新泽毛海央金海波龙克文; 广东省重点领域研发计划项目(2019B010117001)。; 静电防护问题是提升集成电路可靠性面临的主要挑战之一。基于55 nm HV CMOS工艺,研究了静电注入对中压(MV)和高压(HV)GGNMOS(Gate-Grounded NMOS)器件静电防护性能的影响。研究结果表明,对MV GGNMOS器件来说,静电注入能够在有效降低开...; 关键词：静电注入静电防护栅极接地NMOS 中压/高压

Design of GGNMOS ESD protection device for radiationhardened 0.18 μm CMOS process: 《Journal of Semiconductors》2020年第12期57-64,共8页Jianwei Wu Zongguang Yu Genshen Hong Rubin Xie; This work was supported by the Military Quality Engineering of China(No.1807WR0002).; In this paper,the ESD discharge capability of GGNMOS(gate grounded NMOS)device in the radiation-hardened 0.18μm bulk silicon CMOS process(Rad-Hard by Process:RHBP)is optimized by layout and ion implantation design.Th...; 关键词：total ionizing dose RHBP GGNMOS ESD ion implantation STI TLP leakage current DCGS

GGNMOS ESD器件的建模与仿真被引量：1: 《通信电源技术》2020年第8期113-115,共3页赵莉; 完成了GGNMOS ESD器件的建模,提出了ESD瞬时大脉冲条件下二次击穿前保护器件GGNMOS的理论模型,并利用Spectre工具完成了模型的仿真验证。通过仿真得到二次击穿前保护器件GGNMOS I-V特性曲线,确定设计的GGNMOS器件的触发电压Vt、维持电...; 关键词：ESD器件 GGNMOS 模型仿真参数确定

Improving robustness of GGNMOS with P-base layer for electrostatic discharge protection in 0.5-μm BCD process: 《Chinese Physics B》2019年第8期393-396,共4页Fei Hou Ruibo Chen Feibo Du Jizhi Liu Zhiwei Liu Juin J Liou; Gate-grounded N-channel MOSFET(GGNMOS)has been extensively used for on-chip electrostatic discharge(ESD)protection.However,the ESD performance of the conventional GGNMOS is significantly degraded by the current crowdi...; 关键词：ESD GGNMOS failure current TRIGGER VOLTAGE

基于0.18μm工艺的I/O端口ESD防护设计被引量：6: 《电子与封装》2019年第3期18-20,48,共4页程淩白丽君李娟; 当两个拥有不同电势的物体接触时,电势差会导致电荷流动,从而产生放电,这种现象称为静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)。ESD所产生的瞬间高电压和大电流,会烧毁击穿半导体中的器件,最终导致整个半导体芯片永久性失效。随着硅基CMO...; 关键词：ESD GGNMOS GGNMOS+RC POWER Clamp结构

深亚微米ESD版图设计及优化研究: 《上海建桥学院学报》2017年第3期59-62,共4页史君; 在集成电路领域，由于静电放电ESD（ElectroStatic Discharge）导致的芯片失效一直是一个相当严重的问题，随着器件特征尺寸的不断减小，迫切需要对ESD失效机理进行广泛研究。文章针对GGNMOS（Gate-Grounded NMOS）器件的ESD防护问题，...; 关键词：GGNMOS ESD 版图深亚微米优化设计

深亚微米GGNMOS器件ESD鲁棒性的优化与模拟被引量：1: 《微电子学》2017年第1期130-134,共5页刘瑶刘宏邦; 国家自然科学基金资助项目(U1431109);广西自然科学基金重点项目(桂科基2015GXNSFDA139002);广西大学科研基金资助项目(XJZ120269); 基于单指条栅接地N型场效应晶体管(GGNMOS)在静电放电(ESD)时的物理级建模方法,仿真分析了版图参数和工艺参数对器件ESD鲁棒性的影响。提出了一种可提高器件ESD保护性能的优化设计,即硅化扩散工艺下带有N阱的多指条GGNMOS结构。对单指...; 关键词：ESD GGNMOS 建模工艺参数版图参数

一种CMOS工艺高速端口的ESD保护设计被引量：1: 《电子与封装》2016年第9期14-17,共4页孙云华邹家轩; 随着CMOS工艺的不断深化,CMOS器件开启速度越来越快,有利于设计出更高速的电路及相关接口器件。但随着CMOS工艺深化的同时,器件的栅氧厚度也越来越薄,栅氧的击穿电压大大降低,使得器件更容易受到ESD损伤。采用传统的ESD结构会显著增加...; 关键词：ESD 高速端口 GGNMOS NTNMOS

ESD应力下深亚微米GGNMOS二次击穿物理级建模仿真被引量：3: 《微电子学》2015年第6期804-808,共5页刘瑶高英俊; 国家自然科学基金资助项目(51161003);广西自然科学基金重点项目(桂科基2012GXNSFDA053001);广西大学科研基金资助项目(XJZ120269); 基于静电放电(ESD)应力下深亚微米栅接地N型场效应晶体管(GGNMOS)二次击穿的物理特性,将建立的热击穿温度模型、热源模型与温度相关参数模型相结合,提出了一种新的电热模型,并进行了优化。基于这些模型,可仿真出器件的二次击穿电流值It2...; 关键词：GGNMOS 静电放电电热效应建模二次击穿电流

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