基于多层MoS_(2)材料的MOSFET器件退火效应研究  

作　　者：韩涛 廖乃镘[1] 孙艳敏 丁劲松 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十四研究所,重庆400061 [2]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060 [3]濮阳市科学技术研究院,河南濮阳457000

出　　处：《今日制造与升级》2025年第1期48-50,共3页Manufacture & Upgrading Today

基　　金：2023年度重庆市博士后研究项目(2023CQBSHTB3144)。

摘　　要：文章采用机械剥离法在SiO_(2)/Si衬底制备多层二硫化钼(MoS_(2))材料,通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS_(2)材料进行测试表征,并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进行测试分析。探索退火效应对器件电学性能的影响。

关 键 词：MoS2材料 MOSFET器件 测试表征 退火效应 电学性能 

分 类 号：U664.1[交通运输工程—船舶及航道工程]