《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成  

出　　处：《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第8期I0004-I0005,共2页Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology

摘　　要：近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。

关 键 词：电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN 

分 类 号：O441.4[理学—电磁学]