氧化物半导体

作品数：1007被引量：1685H指数：15
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高功率宽调谐声光调制器驱动源的研究
《量子电子学报》2025年第2期238-245,共8页王锦荣 吴双娥 米成栋 朱梦琦 程子源 高旭珍 史旭蓉 杜胜利 
山西省高等学校科技创新项目(2021L562,2022L573);吕梁市引进高层次科技人才重点研发项目(2021RC-2-27);吕梁市社会发展领域重点研发项目(2022SHFZ43)。
声光调制器是一种重要的光学器件,其性能在很大程度上依赖于驱动源的性能。因此,针对不同的应用场景,研制高性能的声光调制器驱动源具有重要意义。本文针对量子光学领域真空压缩光制备中光学参量振荡腔腔长锁定对声光调制器的应用需求,...
关键词：光电子学 声光调制器驱动源 射频金属氧化物半导体(MOS)场效应管 连续调谐 自动关断保护电路 
CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
《半导体技术》2025年第3期296-303,共8页徐雷钧 马宇杰 黄磊 白雪 陈建锋 
国家自然科学基金(61874050)。
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱...
关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声 
提高金属氧化物半导体气体传感器抗湿稳定性的方法研究
《有色金属材料与工程》2025年第1期57-66,共10页刘新宽 邓志祥 吴郅轩 孙艳 
上海市自然科学基金资助项目(23ZR1473300)。
测试环境中的水汽会干扰金属氧化物半导体气敏材料的气敏反应,导致基线电阻漂移、响应灵敏度降低等问题,从而显著影响传感器对目标气体的检测。对水汽干扰气体传感器气敏反应的机制进行了简要阐述,重点对当前抗湿检测的思路进行了归纳...
关键词：金属氧化物半导体 抗湿性能 吸附氧 气体传感器. 
紫外光激发金属氧化物气体传感器研究进展
《微纳电子技术》2025年第1期13-27,共15页顾子琪 曹兆玉 薄良波 郑晓虹 
2022宁东能源化工基地重点支持领域科技项目(2022NDKJ0001);2023上海应用技术大学中青年教师科技人才发展基金(ZQ2023-1)。
近年来,随着环境污染问题日益严重,对传感器的要求也在不断提升。传统的金属氧化物气体传感器虽然具有良好的响应,但是工作温度高和选择性差制约了其发展。紫外光激发与形貌调控、金属掺杂和构建异质结相结合被认为是解决这一问题的有...
关键词：气体传感器 光激发 紫外光 金属氧化物半导体 气敏性能 
薄硅膜SOI LDMOS器件的HCI劣变机理研究
《微电子学与计算机》2024年第12期132-138,共7页顾祥 张庆东 纪旭明 李金航 赵杨婧 
由于薄硅膜——绝缘体上硅型横向扩散金属氧化物半导体(Silicon On Insulator Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,SOI LDMOS)制作在厚度仅有几十到几百纳米的硅膜上,器件在高电压、大电流的作用下,热载流子注入(Hot Carrier...
关键词：绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 热载流子注入 电荷泵 缺陷 
一种基于CMOS的小型化量子随机数产生装置
《量子电子学报》2024年第6期924-932,共9页王其兵 王林松 王雅琦 李力 许华醒 王少华 
国家自然科学基金(62001440)。
为满足量子随机数发生器(QRNG)的小型化、集成化应用,设计了一种基于发光二极管(LED)光源并结合互补金属氧化物半导体(CMOS)探测的量子随机数发生器。量子随机数是以光量子固有特性确保随机数的高安全性,同时其低成本、高速率的处理方...
关键词：量子光学 小型化量子随机数发生器 二值法 互补金属氧化物半导体 
一种用于单细胞阻抗检测的CMOS-MEMS单芯片电化学阻抗传感器
《微纳电子技术》2024年第12期114-121,共8页聂鉴卿 蔡盛训 王琨 关一民 刘德盟 
国家自然科学基金(82130069)。
传统的基于贵金属的共面电极价格昂贵,且难以与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺集成,阻碍了采用共面电极的传感器的量产与大规模应用。开发了一种基于微机电系统(MEMS)工艺的共面钽电极电化学阻抗传感器,该传感器集成了精准微泵和微流道...
关键词：单细胞阻抗检测 共面钽电极 微型阻抗传感器 精准微泵 互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容 
SiC MOSFET开关瞬态解析建模综述被引量：1
《中国电机工程学报》2024年第19期7772-7783,I0024,共13页王莉娜 袁泽卓 常峻铭 武在洽 
国家自然科学基金项目(52177167,51877005);航空科学基金(2019ZC051012)。
在评估和优化半导体器件开关瞬态特性领域,解析模型因具有简单、直观、应用便捷等优点得到广泛研究。相较同等功率等级的硅基功率器件,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effec...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 开关瞬态 解析建模 跨导 寄生电容 
基于相位校准技术的宽带卫星通信相控阵接收芯片设计与实现
《电子器件》2024年第5期1157-1164,共8页谢卓恒 黄波 刘兰 冯越 阳润 杭虹江 袁素 
国家重点研发计划课题项目(2020YFB1806203)。
论述了一种基于SiGe BiCMOS工艺的19 GHz~23 GHz四通道卫星通信相控阵接收芯片,该芯片采用有源矢量合成架构进行移相器设计,每个通道由低噪声放大器、移相器、合路器构成,测试结果表明单通道增益(包含合成损耗)大于25 dB,噪声系数小于2....
关键词：卫星通信 四通道 接收芯片 毫米波 锗硅双极互补金属氧化物半导体 
国产功率芯片射频解冻模块设计与应用
《辽宁工程技术大学学报（自然科学版）》2024年第5期633-640,共8页南敬昌 戴涛 丛密芳 
国家自然科学基金项目(61971210)。
为提高射频解冻领域相关产品的自主可控能力,基于国产自研横向扩散金属氧化物半导体(lateral diffusedmetaloxidesemiconductors,LDMOS)功率芯片,提出一种由全国产晶体管放大电路构成的大功率射频解冻模块设计方案。该方案核心放大电路...
关键词：国产化 功率放大器 横向扩散金属氧化物半导体 射频解冻 大功率 
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