全球首款!三星推出第三代HBM2E内存,16GB容量  

出　　处：《世界电子元器件》2020年第2期33-33,共1页Global Electronics China

摘　　要：日前,三星宣布推出业界首款第三代HBM2E内存,新的HBM2E内存由8颗16Gb的DRAM颗粒堆叠而成,单个封装可以达到16GB的总容量,并且其拥有高达3.2Gbps的传输速率。新型Flashbolt准备提供前一代8GB HBM2“Aquabolt”容量的两倍,还可以显着提高性能和电源效率,从而显着改善下一代计算系统。通过在缓冲芯片顶部垂直堆叠八层10nm级(1y)16千兆位(Gb)DRAM裸片来实现16GB的容量。然后,该HBM2E封装以40,000多个“直通硅通孔”(TSV)微型凸块的精确排列进行互连,每个16Gb裸片均包含5,600多个此类微小孔。

关 键 词：千兆位 DRAM FLASH 电源效率 硅通孔 传输速率 第三代 HBM 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]