硅(Si)纳米线制备方法的探索  

作　　者：李育 

机构地区：[1]唐山市第一中学,河北 唐山 063000

出　　处：《中国科技期刊数据库 科研》2017年第10期00132-00133,135,共3页

摘　　要：硅纳米线(Si纳米线)有独特的光致发光,场发射,电子运输等性能,在半导体,生物,化学领域有着广阔的发展前景,目前Si纳米线制成的纳米传感器,二极管,太阳能电池等多种应用。制作Si纳米线一般有两种方向,一种是自下而上的生长,一种是自上而下。本实验中,我们运用自上而下的方法,利用溶液腐蚀硅基板获得大面积有序纳米线。纳米线长度,位置,直径都可控。同时我们也我们对决定纳米线位置直径的聚苯乙烯小球(PS小球)模板的制作,刻蚀条件,刻蚀时间进行讨论,在实验过程中,我们运用了目前领先的等离子刻蚀及等离子镀膜技术。等离子体刻蚀技术,利用氧气电离产生的氧离子对PS小球进行刻蚀,减小残留在基板上的PS小球直径,小球残留的直径即为后续制成的纳米线的直径。此外,等离子体镀膜技术被应用于金属催化银(Ag)膜的制备过程中。

关 键 词：SI纳米线 PS小球 等离子体镀膜 等离子体刻蚀 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]