半导体光电探测器在GaN AlGaN影响下的相关研究  

作　　者：王维[1] 

机构地区：[1]南开大学,天津 300350

出　　处：《中国科技期刊数据库 工业B》2018年第12期00177-00177,共1页

摘　　要：本文介绍了基于GaN / AlGaN的光电探测器的基本原理,基本结构和近年来金属-半导体-金属光电探测器,肖特基势垒光电探测器的研究状况。研究成果出现中约2k A / W响应度和1pA暗电流,显示出该领域的巨大改进。

关 键 词：GAN 半导体 光电探测器 肖特基势垒光电探测器 金属-半导体-金属光电探测器 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学]