微波功率芯片共晶技术研究  

作　　者：成妮妮 

机构地区：[1]西安华腾微波有限责任公司,陕西 西安 710000

出　　处：《中文科技期刊数据库(引文版)工程技术》2020年第5期00293-00293,295,共2页

摘　　要：用户对射频前端高频段高功率产品要求越来越趋向小型化,低密度。因微波器件具有频带宽、速度快、尺寸小、干扰小等优点,被广泛应用微波、毫米波电路中。本文针对砷化镓功率芯片(用于发射机的)共晶焊接在钼铜载体上进行研究,通过对大功率芯片焊接进行实验表明,影响焊接的因素为温度曲线、焊片大小、焊接压力。经剪切力、空洞率和外观检验后,硬件剪切强度满足GJB548-2005要求。本文对共晶焊接过程有一定指导意义。。

关 键 词：材料 GaAs大功率芯片 Au80Sn20金锡焊料 方法:正交试验法 共晶焊 

分 类 号：U458.3[建筑科学—桥梁与隧道工程]