低维金属氧化物半导体纳米材料设计与气敏性能研究  

作　　者：熊露林 李涛 侯星慧[2] 吴继杰 陈德良 

机构地区：[1]东莞理工学院材料科学与工程学院/交叉科学研究中心/科技创新研究院,广东东莞523808 [2]郑州大学材料科学与工程学院,河南郑州450001 [3]广东省高性能覆铜板关键材料工程技术研究中心,广东东莞523808 [4]南昌大学化学化工学院,江西南昌330031

出　　处：《中国科技期刊数据库 工业A》2023年第6期175-181,共7页

摘　　要：低维纳米金属氧化物半导体因其独特的微观结构、表界面性质,拥有优异的电学、光学、催化、吸脱附等特性,广泛应用于化学传感及其他功能领域。金属氧化物半导体材料的化学组成与晶体结构、微观形貌与表界面特性等在很大程度上决定器件的气敏行为;合适的半导体材料体系设计以及独特的低维微纳结构的构筑是实现高性能气敏响应的重要途径。本文聚焦金属氧化物半导体纳米材料的制备及其气敏响应机制的最新研究进展,总结了低维纳米金属氧化物半导体材料的设计、制备、改性方法,以及气敏响应机理等新结果,为气敏等功能材料领域研究者进一步研发高性能金属氧化物基气敏传感材料提供了较系统理论与技术参考。

关 键 词：纳米材料 金属氧化物半导体 气敏性能 气敏机理 制备方法 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]