硅基锗探测器低暗电流技术研究  

作　　者：刘恋 刘钟远 郭安然 龙梅 柳益[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2023年第7期44-47,共4页

摘　　要：本文针对波导型硅基锗探测器制造工艺中引入的锗表面损伤与铝穿刺对锗探测器暗电流的影响进行了研究。我们发现,锗表面损伤和铝穿刺会对探测器暗电流产生直接影响并导致其增加。为此,本文采用湿法腐蚀工艺去除锗表面损伤层,同时使用低温淀积钝化层、以及电极金属增加TIN阻挡层的工艺,有效降低了锗探测器的暗电流,同时保持了其良好的欧姆接触特性。

关 键 词：暗电流 锗表面损伤 铝穿刺 波导型硅基锗探测器 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]