Au-Sn共晶键合工艺参数对MEMS器件性能的影响研究  

作　　者：戴诗歌 龚亚飞[1] 华秀竹 翟豪 

机构地区：[1]中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215123

出　　处：《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2024年第12期261-263,共3页

摘　　要：本文研究了Au-Sn共晶键合工艺参数对MEMS(微机电系统)器件性能的影响。通过设计并优化Au-Sn共晶键合多层材料结构和密封环图形,分析了组分配比、键合前处理、键合温度等关键参数对MEMS器件气密性、剪切强度及漏率等性能指标的影响。实验结果表明,在峰值温度为300℃、持续时间为2分钟的条件下,实现了良好的键合效果,剪切力平均值达到16.663kg,漏率小于2×10-3 Pa·cm3/s,满足GJB548A检验标准。本研究验证了Au-Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中的适用性,并为其工艺参数的进一步优化提供了理论依据。

关 键 词：MEMS器件 Au-Sn共晶键合 工艺参数 气密性 剪切强度 漏率 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]