Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺  

MOCVD Preparation Method for Y2O3 Coating

作　　者：付正 张立同[1] 成来飞 龚磊[1] 何国梅[1] 罗立志[1] 夏海平[1] 

机构地区：[1]西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室 西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室 西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室 厦门大学化学化工学院 厦门大学化学化工学院 厦门大学化学化工学院 厦门大学化学化工学院

出　　处：《航空制造技术》2007年第z1期16-19,共4页Aeronautical Manufacturing Technology

摘　　要：采用MOCVD法,通过金属有机先驱体Y(TMHD)3与O2反应在石英或CVD-SiC基片上制备Y2O3涂层,探索了制备工艺对沉积结果的影响.结果表明,先驱体气相浓度对Y2O3涂层生长方式和涂层与基片的结合强度有很大影响;沉积温度在600℃～700℃范围内,随着温度的升高涂层致密度提高,空洞缺陷减少.

关 键 词：氧化钇 化学气相沉积 金属有机先驱体 基片 

分 类 号：V26[航空宇航科学与技术—航空宇航制造工程]