Flash存储器的内建自测试设计  

Design of Built-in Self-Test for Flash Memory

作　　者：雷加[1] 晏筱薇[1] 

机构地区：[1]桂林电子科技大学电子工程学院,桂林541004

出　　处：《微计算机信息》2008年第5期296-297,283,共3页Control & Automation

基　　金：广西自然科学基金:(0542050)

摘　　要：内建自测试是一种有效的测试存储器的方法。分析了NOR型flash存储器的故障模型和测试存储器的测试算法,在此基础上,设计了flash存储器的内建自测试控制器。控制器采用了一种23位的指令,并且通过JATG接口来控制,结果通过扫描链输出。验证结果表明,设计的内建自测试结构对固定故障、转换故障、桥接故障、耦合故障、栅极干扰、漏极干扰、过渡擦除和读干扰均有100%的故障覆盖率。BIST(Built-in Self-Test)is an efficient method to test memory. This paper analyzes fault model of NOR type flash memory and test algorithm to test memory. On this base,a BIST controller for flash memory is designed. The controller adapts a 22-bits in-struction and is controlled through JTAG interface. The result is transmitted by scan chain. transmitted by The results show that the BIST can get 100% fault courage for SAF、TF、AF、CF、GD、DD、OE and RD.

关 键 词：FLASH存储器 故障模型 内建自测试 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]