一次编程(OTP)存储器的数据保持特性工艺研究  

Research on Process of OTP Data Retention

作　　者：房世林[1] 李月影[2] 何永华[2] 

机构地区：[1]东南大学集成电路学院,南京210096 [2]华润上华科技有限公司,江苏无锡214061

出　　处：《电子器件》2007年第2期395-397,共3页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：对0.5μm叠柵一次编程(OTP)存储器工艺进行研究,通过选择介质(ONO)工艺条件,选择合适单元尺寸,增加(SIN)保护,优化单元侧面工艺等,使得存储单元在250℃高温24h加速老化后写入阈电压漂移小于10%,嵌入式OTP产品(64k*8位)可靠性评估存储器的数据保持能力大于十年.This paper researches the process characteristic of 0.5 μm stack gate one time program memory.Via chosen the best condition of ONO,used right bit cell size,added SIN protection and optimized bit cell sidewall process,the cell Vt shift is lower than 10% after accelerate aging experiment which condition is 250 degree 24 hours bake.At the same time,the embedded OTP product(64 k8 bit)data retention capability is better than 10 years.

关 键 词：叠柵 OTP 数据保持 嵌入式 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]